参数 |
指标 |
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型号 |
C14120-20P |
||
像素 |
4608×2592 |
||
像元 |
5.5×5.5μm |
||
传感器面积 |
25.344×14.256mm |
||
峰值QE |
>60%@550nm |
||
暗电流 |
15e/pixel/s(风冷20℃) |
||
制冷温度 |
风冷20℃,水冷静音20℃ |
||
数据接口 |
高速CoaXPress-6x4 线(配采集卡) |
||
Binning |
2×2,4×4 |
||
尺寸 |
110×110×235mm |
||
开机时环境温度 |
0℃ -40℃ |
||
开机时环境湿度 |
30% -80% |
||
满阱模式 |
标准满阱模式(高速低噪) |
高满阱模式(避免过曝) |
|
满阱容量 |
1000电子 |
38000电子 |
|
读出噪声 |
1.5电子中值/ 2.0电子均方根 |
2.2电子中值/ 2.7电子均方根 |
|
动态范围 |
650:1 |
17000:1 |
|
位深 |
12 bit |
16 bit |
|
曝光时间 |
6.304μs – 1s |
50.432μs – 1s |
|
PRNU(光响应不一致性) |
- |
不大于3% (在20 000 电子信号处) |
|
DSNU(暗信号不一致性) |
0.5 电子均方根 |
||
|
EMVA 1288标准: 不大于1% |
||
信号强度小于500时: 不大于1% |
|||
|
沿触发、各行同时开始曝光沿触发(Global reset edge )、电平触发、各行同时开始曝光电平触发(Global reset level)、Synchronous readout trigger(两或多触发沿之间的时间间隔为曝光时间)、start trigger (接收到触发沿之后开始在内触发模式下连续拍照) |
||
外触发接口 |
SMA |
||
外触发电平要求 |
时长0s 到10s之间,最小单位1μs,电平3.3V LVCMOS level |
||
读出模式 |
标准读出模式/光片读出模式 |
||
光
片
读
出
模
式
|
读出时间 (4608x 2592) |
8.2ms – 129.6ms (4行的可设置范围12.608μs – 200μs) |
32.7ms – 129.6ms (4行的可设置范围50.432μs – 200μs) |
最小读出间隔 (4608 x 2592) |
|
|
|
读出模式 |
全幅/子阵列单独成像 |
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读出方向 |
向前读出(单向) |
||
亮点矫正 |
可开关(默认开启) |
购买人 | 会员级别 | 数量 | 属性 | 购买时间 |
---|
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